集成电路高端制成用电子级溴化氢（HBr）的研发
发布时间: 2024-06-19
| 技术需求名称 | 集成电路高端制成用电子级溴化氢（HBr）的研发 | ||
| 行业 | 电子信息 | 行业属性 | 硬件/数码 |
| 所属行业领域 | 自动化元件 | 所属行业专项 | 自动化元件 |
| 购买方式 | 技术转让 | ||
| 技术难题和攻关内容 | 1、超纯电子级溴化氢（HBr）的纯化技术。拟采用双塔精馏，塔1设定为轻组分精馏塔，将N2、H2、O2等轻组分杂质气体降低到标准值以内，塔2设定为重组分精馏塔，使溴化氢产品中重组分气体杂质以及金属杂质降低到标准值以内。然后经过外循环增压装置，完成溴化氢的钢瓶充装。 技术参数：HBr纯化系统:经过纯化后的HBr介质达到以下要求： 纯度＞5.5N，CO2＜0.3ppm，CO＜0.3ppm，CH4＜0.3ppm，N2＜0.3ppm，O2/Ar＜0.3ppm，H2O＜1ppm，H2＜10ppm，HCl＜0.5ppm，Fe＜5ppb，Ca＜0.1ppb，Co＜0.5ppb，Cr＜1ppb，Cu＜0.5ppb，Ni＜1ppb，Na＜1ppb，Zn＜0.5ppb，Mg＜1ppb，Al＜3ppb，Mn＜1ppb，Pb＜5ppb。 2、超纯电子级溴化氢（HBr）的分析技术。拟运用GC、FTIR对产品中气体杂质控制结果进行检测，运用ICP-MS对产品中金属离子含量进行分析。 3、超纯电子级溴化氢（HBr）的纯化装置以及超净包装容器的制造技术。采用纯镍材料制造超纯电子级溴化氢（HBr）的纯化装置以及超净包装容器，最大程度减小HBr对容器的腐蚀，以减小杂质离子对产品的污染。其间需要攻克纯镍材料的污染控制、焊接、机械抛光、机械研磨，以及电解抛光等难题，最终制造出符合技术要求的产品。技术参数：主体材料，316L/镍基材料；内壁粗糙度Ra ≤0.1um;氦检漏率(真空法)≤1.0×10-9mbar·l/s;氧含量≤0.1ppm;水份含量≤0.1ppm;颗粒度,颗粒≥0.1um,每立方英尺≤1个。 | ||
| 技术攻关后希望达到的预期技术目标: | |||
| 时间限制要求 | 2024-06-19 | ||
